基于BiCMOS工艺的带隙基准电压源设计

http://www.microimage.com.cnMiffy(2011-02-18 12:02:12)

 

叶鹏 文光俊 蔡竟业 王永平

中文摘要:
电压基准是模拟集成电路的重要单元模块,本文在0.35um BiCMOS工艺下设计了一个带隙基准电压源。仿真结果表明,该基准源电路在典型情况下输出电压为1.16302V,-45~105范围内,其温度系数为3.6ppm/,在在电源电压为3V~3.6V范围内,参考电压从.16295V~1.16308V,变化了130uV,电源电压调整率为0.0186%/V

关键字:带隙基准电压源; 温度系数; 电源电压调整率; BiCMOS

中图分类号:TN782 文献标识码:A 文章编号:1008-0570(2009)07-1-0130-02

作者简介:
叶鹏(1984-),男,电子科技大学硕士研究生,主要研究方向为数模混合集成电路设计.

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[1]叶鹏,文光俊等.基于BiCMOS工艺的带隙基准电压源设计[J].微计算机信息.20097-1p130-131

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