一种结构简单的CMOS带隙基准电压源设计

http://www.microimage.com.cnMiffy(2011-02-18 11:59:25)

 

周晏 蒋林 曾泽沧

中文摘要:
本文提出了一种结构简单高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源,供电电源3.3V。采用CSMC 0.5um CMOS工艺。Spectre仿真结果表明,基准输出电压在温度为-40+80时,温度系数为45.53×10-6/,输出电压在电源电压为25V范围内变化小。电源抑制比达到-73.3dB

关键字:带隙基准; 电源抑制比; 温度系数

中图分类号:TN432 文献标识码:A 文章编号:1008-0570(2009)07-1-0137-02

作者简介:
周晏(1984.8),男(汉族),陕西,西安邮电学院,硕士,研究方向为VLSI设计与计算机辅助设计。

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[1]周晏,蒋林等.一种结构简单的CMOS带隙基准电压源设计[J].微计算机信息.20097-1p137-138

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