原子力显微镜在GaN研究中的应用

http://www.microimage.com.cnwbf_512(2010-11-08 16:19:17)

摘 要:本文采用原子力显微镜(AFM)对Si基外延GaN的形貌及出现的V缺陷进行研究。实验结果表明, GaN外延层厚度为0.5μm时粗糙度最低且没有裂纹出现;厚度为0.4μmGaN表面出现小坑——V缺陷,密度约为10 8cm-2

[附件:/原子力显微镜在GaN研究中的应用.pdf]

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